[发明专利]不等深度微纳沟槽结构成形方法

摘要

本发明提供一种不等深度微纳沟槽结构成形方法，通过以下步骤实现：首先在二元微纳沟槽阵列结构表面制作特定面形的连续结构，然后通过各向异性干法刻蚀技术将连续面形结构与沟槽结构特定区域同时刻蚀。干法刻蚀传递过程中，连续面形结构将对沟槽结构特定区域进行调制。最终获得沟槽深度经连续调制的微纳结构。该方法可成形各种不等深度的亚微米甚至纳米级沟槽结构；此类结构可很好的实现表面等离子体波的位相操控。为实用化表面等离子体波结构的制作提供了途径。

主权项

1、不等深度微纳沟槽结构成形方法，包括以下步骤：1)在基底表面热蒸镀沉积金属膜层、涂布抗蚀剂层；在所述抗蚀剂层上制等深度沟槽结构；2)对抗蚀剂沟槽结构底部暴露出的金属进行腐蚀；3)去除金属表面抗蚀剂，在金属结构表面再次涂布抗蚀剂层，并在所述沟槽结构表面制作连续面形微结构；4)采用干法刻蚀工艺对连续面形微结构进行刻蚀，当连续微结构完全被刻蚀传递至基底表面时停止刻蚀；5)去掉所述微结构表面的金属膜层，得到不等深度微纳沟槽结构。