[发明专利]高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料有效
| 申请号： | 200710063375.2 | 申请日： | 2007-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN101221984A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 徐静波;张海英;叶甜春;尹军舰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/201 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体材料技术领域，公开了一种高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料，该MHEMT材料由在GaAs衬底上依次外延生长的晶格应变层InxAl1－xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层掺杂InP、沟道层不掺杂InP、沟道层In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、势垒层In0.52Al0.48As和高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成。利用本发明，结合了In0.53Ga0.47As的低场高电子迁移率和高场下InP有高阈值能量以及高饱和速率的特性，解决了常规MHEMT器件源漏击穿电压低的缺点，达到了既提高源漏击穿电压，又保证器件具有优越的毫米波频率特性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 砷化镓基 复合 沟道 应变 电子 迁移率 晶体管 材料 | ||
【主权项】：
1.一种高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料，其特征在于，该应变高电子迁移率晶体管MHEMT材料由在GaAs衬底上依次外延生长的晶格应变层InxAl1-xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层InP、沟道层In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、势垒层In0.52Al0.48As和高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成。
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