[发明专利]一种晶体管T型纳米栅的制备方法无效
| 申请号： | 200710063374.8 | 申请日： | 2007-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN101221903A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘亮;张海英;刘训春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335;G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管T型纳米栅的制备方法，包括：A.在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前烘；B.在所述第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C.在所述第二层电子束胶ZEP520A上匀一层易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶，然后前烘；D.在所述第三层电子束胶上匀第四层电子束胶ZEP520A，然后前烘；E.进行栅帽版电子束曝光，依次显影第四层电子束胶ZEP520A和第三层电子束胶；F.进行栅脚版电子束曝光，依次显影第二层电子束胶ZEP520A和第一层电子束胶；G.腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。利用本发明，容易制作出极小尺寸的栅线条，可靠性强，不需要生长和刻蚀介质，大大减小了工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管T型纳米栅的制备方法，其特征在于，该方法包括：A、在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前烘；B、在所述第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、在所述第二层电子束胶ZEP520A上匀一层易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶，然后前烘；D、在所述第三层电子束胶上匀第四层电子束胶ZEP520A，然后前烘；E、进行栅帽版电子束曝光，依次显影第四层电子束胶ZEP520A和易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶；F、进行栅脚版电子束曝光，依次显影第二层电子束胶ZEP520A和易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶；G、腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
