[发明专利]一种去除半导体零件表面污染物的方法有效
| 申请号： | 200710063226.6 | 申请日： | 2007-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101217102A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 钱进文 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B7/04;B08B1/00;B08B3/00;B08B3/12;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 练光东 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种去除半导体零件表面污染物的方法，包括如下步骤：将初步擦拭后的半导体零件，用去离子水冲洗5～10分钟，在NH4OH∶TMAH为100∶1的1～5％水溶液中超声清洗10～30分钟，擦拭，用去离子水冲洗5～10分钟，放入加入适量柠檬酸或EDTA的NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶2～5的溶液中浸泡20～30分钟，用去离子水冲洗5～10分钟，干燥即得。本发明所述的去除半导体零件表面污染物的方法，保持在碱性环境下对这些物质进行清洗，选用NH4OH作为碱性试剂，再适当加入一些TMAH，增强洗净效果，采取另外加入络合剂如柠檬酸或EDTA，能与金属离子有效的发生络合避免沉积的生成，从而达到洗净去除的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 半导体 零件 表面 污染物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种去除半导体零件表面污染物的方法，包括如下步骤：将初步擦拭后的半导体零件，用去离子水冲洗5～10分钟，在NH4OH∶TMAH为100∶1的1～5％水溶液中超声清洗10～30分钟，擦拭，用去离子水冲洗5～10分钟，放入加入柠檬酸或EDTA的NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶2～5的溶液中浸泡20～30分钟，用去离子水冲洗5～10分钟，干燥即得。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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