[发明专利]有源驱动有机电致发光显示屏中多晶硅TFT阵列的制作方法

摘要

本发明属于平板显示驱动技术领域，具体涉及一种有源驱动有机电致发光显示屏中多晶硅TFT阵列的制作方法。首先是制作多晶硅薄膜，然后光刻形成TFT区、电容下极板区、有机电致发光二极管的阳极区和重掺杂多晶硅的连线；制作栅绝缘层之后光刻形成过孔，用于连接多晶硅和金属；再溅射金属，光刻金属，形成金属栅极和金属连线，同时给电容下极板掺杂区开出掺杂窗口，之后再利用自对准进行掺杂，对TFT的源漏电极，多晶硅短线互连区，电容下极板需要掺杂区进行重(BH₃)P型掺杂；最后制备绝缘层、发光窗口、OLED发光层。本发明所述方法的整个工艺过程只需要4次光刻，与通常的Poly－Si TFT工艺过程相比减少2次以上，具有工艺简单的优良效果。

主权项

1.有源驱动有机电致发光显示屏中多晶硅TFT阵列的制作方法，其步骤如下：(1).将退火的玻璃基片(7)湿法清洗后氮气吹干，在其上用PECVD法沉积300～500nm低温氧化硅LTO，作为衬底缓冲层(5)，用以阻挡玻璃基片中的杂质；(2).沉积40～80nm本征的非晶硅(a-Si)薄膜(14)；(3).沉积50～60nm SiNX绝缘层(15)；(4).溅射20～50的Ni金属诱导层(16)；(5).在退火炉中退火，在Ni金属的诱导下实现a-Si非晶硅层(14)转化为Poly-Si多晶硅层(34)，之后清除Poly-Si多晶硅层(34)上的SiNX层(15)和Ni金属诱导层(16)；(6).光刻Poly-Si多晶硅层(34)，形成单元像素驱动电路中有机薄膜晶体管T1的包括源区、漏区及源区与漏区间沟道区的有源区(17)、T2的包括源区、漏区及源区与漏区间沟道区的有源区(27)、电容Cs下极板区(18)、发光二极管阳极区(20)、Vdata的多晶硅连线区(19)和VDD 的多晶硅连线区(29)，其中T1的漏区与电容下极板区(18)为一体结构，T2的漏区与发光二极管OLED的阳极区(20)为一体结构；Vdata 多晶硅连线区(19)与晶体管T1的源区为一体结构，而VDD多晶硅连线区(29)相对其它区域独立；(7).沉积60～100nm氮化硅SiNX作为栅绝缘层(21)；(8).光刻氮化硅SiNX栅绝缘层(21)，形成多个过孔(22)；(9).用磁控溅射的方法制备200～300nm金属层(23)，多个过孔(22)经溅射金属层(23)后形成多个金属过孔(24)，用以实现金属层(23)及Poly-Si多晶硅层(34)间的引线互连；(10).光刻金属层(23)，形成金属引线Vse1，分立的Vdata、VDD金属引线及晶体管T1的栅电极(201)、晶体管T2的栅电极(202)、电容上极板(9)，同时给电容下极板区(18)留出一个或多个的掺杂窗口(32)，最后将金属引线、栅电极、电容上极板区以外的氮化硅绝缘层(21)刻蚀掉，从而在Poly-Si多晶硅层(34)上露出未掺杂的晶体管T1的源漏区、T2源的源漏区、电容Cs下极板掺杂区、发光二极管阳极区20；(11).对上述步骤露出的Poly-Si多晶硅层进行P型离子注入，从而获得重掺杂的晶体管T1的源区(4011)、漏区(4012)，T2的源区(4021)、漏区(4022)，电容Cs下极板掺杂区(12)、OLED阳极掺杂区(13)，然后在500℃、氮气下处理3～5h完成掺杂杂质的活化过程，最后进行H钝化；(12).沉积500～700nm的LTO作为绝缘层(1)；(13).光刻绝缘层(1)，形成发光区窗口(25)；(14).在发光区窗口(25)上制作OLED发光器件层(8)，从而利用金属诱导法完成P-SiTFT驱动OLED像素的单元电路的制备。