[发明专利]脉冲激光沉积制备硅基金红石相TiO2薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710053648.5 | 申请日： | 2007-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101139701A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 杨光;陆培祥;龙华;戴能利;李玉华;杨振宇 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种脉冲激光沉积制备硅基金红石相TiO2薄膜的方法。先将清洗后的Si基片和纯度大于等于99.9％的二氧化钛靶放入真空室中，再将真空室抽真空到1×10－3－6×10－3Pa，通入0.5Pa－5Pa的氩气气氛，或者通入0.05Pa－0.5Pa的氧气气氛，并将Si基片加热到500－800℃；然后采用KrF准分子激光器，将激光通过透镜聚焦到二氧化钛靶材上，激光束的能量为340－750mJ，激光重复频率为1－10Hz，产生的二氧化钛等离子体向外发射至Si基片上，得到金红石相的纳米二氧化钛薄膜。本发明采用二氧化钛靶材，改变脉冲激光沉积过程中的参数，在硅基片上直接生长纯金红石相的TiO2薄膜。本发明方法简单，薄膜组分均匀，且具有良好的结晶性能。本发明方法可以较好地与传统半导体工艺相衔接，具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 激光 沉积 制备 基金 红石相 tio sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种脉冲激光沉积制备硅基金红石相TiO2薄膜的方法，其步骤包括：(1)将清洗后的Si基片和纯度大于等于99.9％的二氧化钛靶放入真空室中，再将真空室抽真空到1×10-3-6×10-3Pa，通入0.5Pa-5Pa的氩气气氛，或者通入0.05Pa-0.5Pa的氧气气氛，并将Si基片加热到500-800℃；(2)采用KrF准分子激光器，将激光通过透镜聚焦到二氧化钛靶材上，激光束的能量为340-750mJ，激光重复频率为1-10Hz，产生的二氧化钛等离子体向外发射至Si基片上，得到金红石相的纳米二氧化钛薄膜。
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