[发明专利]一种用于太阳能电池的碲化镉薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200710050598.5 | 申请日： | 2007-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101159294A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 夏和生;伍金奎;周星红 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 | 代理人： | 邓继轩 |
| 地址： | 610065四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种用于太阳能电池的碲化镉薄膜及其制备方法，其特点是将平均粒径1μm～10cm的碲化镉颗粒3～20份，成膜剂0～2份，溶剂5～300份和助剂0～2份加入到球磨罐中，采用高能球磨机球磨2～72小时，得到粒径为30nm～30μm碲化镉分散液，利用旋转涂膜机，以10～1000r/min的速度旋转涂膜，在基材上得到一层均匀的碲化镉膜，然后在温度380～500℃烧结15～60分钟得到碲化镉薄膜。或者通过丝网印刷或喷墨打印工艺将碲化镉分散液涂覆在玻璃片或塑料等基材上，干燥后得到均匀的棕黑色碲化镉薄膜，在温度380～500℃烧结15～60分钟获得碲化镉薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 太阳能电池 碲化镉 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于太阳能电池的碲化镉薄膜，其特征在于该碲化镉薄膜起始原料的配方组分按重量计为：碲化镉 3～20份成膜剂 0～2份溶剂 5～300份助剂 0～2份
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
