[发明专利]多晶硅氢还原炉的硅芯棒加热启动方法有效
申请号: | 200710050312.3 | 申请日: | 2007-10-23 |
公开(公告)号: | CN101224888A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 刘汉元;戴自忠 | 申请(专利权)人: | 四川永祥多晶硅有限公司 |
主分类号: | C01B33/031 | 分类号: | C01B33/031 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所 | 代理人: | 方强 |
地址: | 614800四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种多晶硅氢还原炉的硅芯棒加热启动方法。包括硅芯棒掺杂处理,使其电阻率下降至0.05-0.1Ω·cm,通入常规电源对掺杂硅芯棒进行加热升温,并随温度的升高,对外圈未掺杂硅芯棒进行烘烤,当外圈未掺杂的硅芯棒被烘烤,温度上升至600-650℃、其电阻率下降到0.05-0.1Ω·cm时,再对未掺杂的硅芯棒通入常规电源进行加热。采用本发明可以直接在常温下使用常规电源对硅芯棒进行初始加热启动,并且不需要增加启动装置和设备,加热启动程序也很简单。 | ||
搜索关键词: | 多晶 还原 硅芯棒 加热 启动 方法 | ||
【主权项】:
1.多晶硅氢还原炉的硅芯棒加热启动方法,其特征在于:具体步骤为:A、将设置在氢还原炉中最内圈的硅芯棒在制作时加入掺杂剂进行掺杂处理,得到掺杂硅芯棒,使其电阻率下降至0.05-0.1Ω-cm;B、将未掺杂的硅芯棒设置在掺杂硅芯棒的外圈,通入常规电源对掺杂硅芯棒进行加热升温,并随温度的升高,对外圈未掺杂硅芯棒进行烘烤;C、当外圈未掺杂的硅芯棒被烘烤,温度上升至600-650℃、其电阻率下降到0.05-0.1Ω-cm时,再对未掺杂的硅芯棒通入常规电源进行加热。
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