[发明专利]源漏双凹结构的金属半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 200710048733.2 | 申请日： | 2007-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101022129A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张金平;张波;邓小川;陈壮梁;叶毅;罗小蓉;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种应用在高频、大功率领域的金属半导体场效应晶体管(MESFET)结构，即源漏双凹结构MESFET。栅漏和栅源之间的有源层通过刻蚀形成了两个相互独立的凹槽，并在两凹槽之间形成一个凸起的平台。栅电极可以全部淀积在平台上；也可以淀积在平台以及栅源极间的凹槽内，形成一个台阶结构。栅漏和栅源间的凹槽阻止了栅电极下的耗尽层向源、漏漂移区扩展，减小了栅源、栅漏电容，从而提高了器件的频率特性；同时凹槽可以减小栅源、栅漏漂移区沟道厚度，并调制了栅极及漂移区的电场分布，在不减小沟道电流的情况下获得高的击穿电压，从而提高了MESFET器件的功率输出密度。 | ||
| 搜索关键词： | 源漏双凹 结构 金属 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、源漏双凹结构的金属半导体场效应晶体管，包括半绝缘衬底、有源层、帽层以及源电极和漏电极，其特征在于：有源层的栅源区和栅漏区分别存在一个相互独立的栅源区凹槽和栅漏区凹槽，并在其间形成一个平台；栅电极淀积在平台之上。
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