[发明专利]中温烧结高温稳定型陶瓷电容器介质材料无效

专利信息
申请号: 200710048476.2 申请日: 2007-02-13
公开(公告)号: CN101033132A 公开(公告)日: 2007-09-12
发明(设计)人: 周晓华;唐彬;袁颖;张树人;钟朝位 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;C04B35/462;C04B35/50;C03C10/04;C03C10/14;H01B3/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610054四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 中温烧结高温稳定型陶瓷电容器介质材料,涉及电子材料技术,特别涉及电容器材料技术。本发明由钛酸钡主料、第一添加剂、第二添加剂和第三添加剂组成,其中:第一添加剂为微晶玻璃,第二添加剂包括无铅压电材料钛酸铋钠或硼硅酸盐,第三添加剂包括:稀土氧化物、ZnO和Nb2O5,所述稀土氧化物包括Ce或Nd的氧化物。本发明的有益效果是,实现了基料与掺杂剂的分别批量化生产,从而使生产过程简化,设备简单且容易控制。制成微晶玻璃添加剂颗粒尺寸达到纳米级,符合MLCC大容量、高可靠性和小型化的趋势。
搜索关键词: 烧结 高温 稳定 陶瓷 电容器 介质 材料
【主权项】:
1、中温烧结高温稳定型陶瓷电容器介质材料,其特征在于,由钛酸钡主料、第一添加剂、第二添加剂和第三添加剂组成,其中:第一添加剂为微晶玻璃,其组分包括:CaO:20~55mol%;B2O3:20~40mol%;SiO2:25~60mol%;第二添加剂包括无铅压电材料钛酸铋钠或硼硅酸盐,其中钛酸铋钠的组分为:TiO2:60~75mol%;Bi2O3:10~25mol%;Na2O:10~25mol%;硼硅酸盐的主要成分为包含以下元素的复合氧化物,以下式表示:a A+b B+c C其中,A代表ZnO;B代表碱金属氧化物,包括Li2O;C代表非金属氧化物,包括B2O3、SiO2;其中,a、b、c是系数,以mol百分比计算,2mol%≤a≤15mol%,18mol%≤b≤40mol%,50mol%≤c≤80mol%;第三添加剂包括:稀土氧化物、ZnO和Nb2O5,所述稀土氧化物包括Ce或Nd的氧化物。
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