[发明专利]一种场效应管芯片背面制程无效
| 申请号： | 200710046834.6 | 申请日： | 2007-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101409235A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陈泰江;江彤;吕隆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种场效应管芯片背面制程，其中，该方法包括如下步骤：a.在芯片正面贴膜；b.研磨芯片的背面；c.清洗研磨后的芯片并烘干；d.通过蚀刻制程去除芯片背面在步骤b中产生的破坏层，并形成凹凸不平的表面；e.通过金属蒸镀制程在芯片背面蒸镀一层金属界面。与现有技术相比，本发明通过增加湿式蚀刻制程去除芯片背面的破坏层，由此降低破坏层的内应力，防止金属剥离芯片背面，同时，湿式蚀刻制程还使芯片背面变得很粗糙，粗糙面在金属蒸镀过程中提供了较大的接触面积，进一步增加了金属在芯片背面的附着力，从而有效降低了热阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 芯片 背面 | ||
【主权项】：
1、一种场效应管芯片背面制程，其特征在于，该方法包括如下步骤：a.在芯片正面贴膜；b.研磨芯片的背面；c.清洗研磨后的芯片并烘干；d.通过蚀刻制程去除芯片背面在步骤b中产生的破坏层，并形成凹凸不平的表面；e.通过金属蒸镀制程在芯片背面蒸镀一层金属界面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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