[发明专利]一种低温下稳定的纯单斜氧化锆涂层、制备方法及应用无效

专利信息
申请号: 200710046705.7 申请日: 2007-09-29
公开(公告)号: CN101219239A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 王国成;刘宣勇;丁传贤 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: A61L27/30 分类号: A61L27/30;C23C4/10
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 潘振甦
地址: 200050上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及了一种低温下稳定的纯单斜氧化锆涂层、制备方法及应用,其特征在于以钛合金为基体,氧化锆涂层由低温稳定的单斜相氧化锆组成,所述的低温为低于100℃而等于或高于人体体内环境的温度区域。所述的低温下稳定的氧化锆涂层,其特征在于氧化锆涂层与钛合金基体的结合强度介于20-40MPa。所述的低温下稳定的氧化锆涂层,其特征在于氧化锆涂层表面致密,无裂纹存在。采用市售单斜氧化锆粉体为原料,经预处理球磨后,粉料球化或不经球化直接采用等离子喷涂工艺制备成单斜相低温稳定的氧化锆涂层,所提供的涂层具有良好的生物活性,在体内环境中稳定存在,作为人工植入体表面涂层,涂层表面在模拟体液中能诱发类骨磷灰石形成。
搜索关键词: 一种 低温 稳定 单斜 氧化锆 涂层 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种低温下稳定的氧化锆涂层,以钛合金为基体,其特征在于所述的氧化锆涂层由低温稳定的单斜相氧化锆组成,所述的低温为低于100℃而等于或高于人体体内环境的温度区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710046705.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top