[发明专利]超声波作用下碘化汞薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种超声波作用下碘化汞薄膜的制备方法，主要是在超声波作用下的真空蒸发物理气相沉积生长薄膜的方法，它特别是一种χ射线、γ射线探测器用的碘化汞多晶半导体薄膜的制备方法，属半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明利用一特殊设计的薄膜生长管体，将碘化汞原料放于管体底部，管体上部为一真空室，真空室顶部有一真空活塞盖，活塞盖侧部开有抽气口，通过该抽气口和真空抽气系统进行抽真空，使真空室内保持真空状态，真空度要求达到1.5～6.0×10^－3Pa；薄膜生长管体放置在一设有超声波发生装置的水浴加热容器中，水浴温度为70～90℃，超声波发生装置的频率为40或59KHZ；在该条件下进行气相沉积生长薄膜过程，最终在衬底基片上获得柱状晶粒的碘化汞多晶半导体薄膜。

主权项

1.一种超声波作用下碘化汞薄膜的制备方法，它主要是在超声波作用下的真空蒸发物理气相沉积生长薄膜的方法，其特征在于具有以下的工艺过程和步骤：a.先将特殊设计的专用装置薄膜生长管体、真空活塞盖、衬底基片用丙酮浸泡，超声清洗；再用酒精浸泡，超声清洗；然后再用去离子水反复冲洗数次；最后烘干备用；b.将碘化汞原料放于上述薄膜生长管体的下部的蒸发管腔体部分的底部；并将衬底基片放置于所述薄膜生长管体的上部真空室部分与下部蒸发管腔体部分的中间接合处，也即放置于下部蒸发管腔体部分的上端开口处；随后通过薄膜生长管体顶部设置的真空活塞盖一侧的抽气口用真空抽气系统的抽气装置进行抽真空，使真空室保持真空状态，初始的真空度要求达到1.5～3.0×10-3Pa；所述衬底基片与碘化汞原料间的距离约为12cm；c.然后将上述的薄膜生长管体放入一设有超声波发生装置的水浴加热容器内，水浴温度为70～90℃；超声波发生装置的超声频率为40或59KHZ，超声功率为100％；在薄膜沉积过程中，其真空度始终维持在1.5～6.0×10-3Pa；在上述条件下进行真空蒸发气相沉积过程，最终在所述的衬底基片上制得柱状晶粒的碘化汞多晶半导体薄膜。