[发明专利]半导体器件的内引线结构无效
| 申请号： | 200710045546.9 | 申请日： | 2007-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101123230A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 褚卫兵;施震宇;曾小光;陈卫东;罗礼雄 | 申请（专利权）人： | 葵和精密电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/482;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海恩田旭诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁国芳 |
| 地址： | 201614上海市松江出*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的内引线结构，包括用来电连接引线框架与装载在所述引线框架上芯片的内引线，其特征在于，在所述芯片的表面对应与所述内引线连接处焊接有桥接结构，所述桥接结构为金属介质，具体的，为金球或金合金球。半导体器件的内引线结构通过所述的桥接结构使内引线与所述芯片形成电连接，彻底解决了完全使用其它金属材料如铜作为内引线的工艺上的缺陷，提高了生产效率及产品的可靠性，同时比使用金线作为半导体器件的内引线大大节省了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 引线 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的内引线结构，包括用来电连接引线框架与装载在所述引线框架上芯片的内引线，其特征在于：在所述芯片的表面对应与内引线连接的焊接区域焊接有桥接结构，所述内引线焊接在所述桥接结构上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于葵和精密电子（上海）有限公司，未经葵和精密电子（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710045546.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：终端用户实现呼叫前转的方法
- 下一篇：液压升降坝
