[发明专利]用于差/共模电磁干扰抑制磁性材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 200710044114.6 申请日: 2007-07-23
公开(公告)号: CN101136272A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 杨胜麒;陈新华;傅翼;邵惠民;李蓉 申请(专利权)人: 上海美星电子有限公司
主分类号: H01F1/04 分类号: H01F1/04;H01F1/06;H01F1/08;H01F41/02
代理公司: 上海东亚专利商标代理有限公司 代理人: 董梅
地址: 200233*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明一种用于差/共模电磁干扰抑制磁性材料的制备方法,包括:将Fe2O3、Mn3O4、ZnO三种原材料按Fe3+∶Mn2+∶Zn2+之摩尔比为5.3∶1.20~1.21∶1的比例混合成混合物;将所得混合物粉碎、研磨、混合均匀后,进行预烧,预烧温度为1080~1100℃;掺杂,加入占总质量百分比为:0.05~0.2%的Bi2O3、CaO、SO3中的一种作为杂质,进行二次研磨;对经过二次研磨获得的混合物进行喷雾法干燥,造粒;将颗粒压制成毛坯;对毛坯进行烧结,温度为1300~1400℃。优点是:初始磁导率达到6500±25%,同类产品为6000±30%,常温饱和磁感应强度为480mT,截止频率500KHz,温度范围-20℃~160℃,比损耗因子tanδ/μi 10×10-6,能同时符合差/共模抑制器的不同要求。
搜索关键词: 用于 电磁 干扰 抑制 磁性材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种用于差/共模电磁干扰抑制磁性材料的制备方法,包括下述步骤:第一步:将Fe2O3、Mn3O4、ZnO三种原材料按Fe3+∶Mn2+∶Zn2+之摩尔比为5.3∶1.20~1.21∶1的比例混合成混合物;第二步:将所得混合物粉碎、研磨、混合均匀后,进行预烧,预烧温度为1080~1100℃;第三步:掺杂,加入占总质量百分比为:0.05~0.2%的Bi2O3、CaO、SO3中的一种作为杂质,进行二次研磨;第四步:对经过二次研磨获得的混合物进行喷雾法干燥,造粒;第五步:将颗粒压制成毛坯;第六步:对毛坯进行烧结,温度为1300~1400℃。
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