[发明专利]硫化镉量子线的制备方法

摘要

一种硫化镉量子线的制备方法，确切说，一种用模板法制备硫化镉量子线的方法，属于纳米材料制备的技术领域。以含有微孔阵列的氧化铝作模板，微孔的直径和孔深分别为8～20nm和2～3μm，用直流电沉积技术在微孔阵列内制得尺寸可调的硫化镉量子线。该制备方法可有效地控制硫化镉量子线的尺寸，使其具有量子限制效应，而且还可由量子限制效应调节禁带宽度，使硫化镉的吸收系数比体材料更大；该制备方法有序地分布在含微孔阵列的氧化铝模板中，量子线之间互相分离，并能被精确定位。该制备方法特别适于用来制备硫化镉量子线。

主权项

1.一种硫化镉量子线的制备方法，其特征在于，具体操作步骤：第一步取一纯度为99.99％以上的铝片，对其进行表面清洁处理：将铝片置于有机溶剂中进行超声清洗，干燥，置于氮气气氛中，500～630℃下退火4～6小时，置于体积比为1∶4的高氯酸和乙醇的混合溶液中进行电化学抛光，抛光温度为5～10℃，抛光时间为20～40秒，用稀盐酸溶液和稀氢氧化钠溶液清洗铝片表面，稀盐酸溶液的浓度为5％，稀氢氧化钠溶液的浓度为0.2mol/L；第二步将经第一步处理的铝片置于浓度为12～15wt％的硫酸溶液中，-6～0℃和270～350转/分的磁力搅拌下，进行阳极氧化，阳极氧化所用的阴极和阳极分别是铂片和所述的铝片，氧化电压为19～22伏，氧化时间为3～8个小时，得含有微孔阵列的氧化铝纳米模板，微孔的孔径和孔深分别为8～10nm和2～3μm；第三步将第二步制得的氧化铝纳米模板置于浓度为5％的磷酸溶液中进行扩孔，温度为30℃，扩孔时间为15～30分钟，微孔的孔径扩大至10～20nm；第四步室温下，配置含有0.055mol/L镉源和0.19mol/L硫源的二甲基亚砜(DMSO)溶液，镉源和硫源分别为氯化镉和硫粉；第五步100～140℃下，进行直流电沉积，直流电沉积电压为10V，将第三步制得的氧化铝模板置于无水乙醇中清洗，取出作阴极，铂片作阳极，沉积时间为10～20分钟，取出，依次用二甲基亚砜溶液、丙酮和去离子水洗净，室温下自然干燥，在所述的氧化铝模板的微孔中制得硫化镉量子线。