[发明专利]单面金属波导太赫兹量子级联激光器及制作方法有效
| 申请号： | 200710043822.8 | 申请日： | 2007-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101345393A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 曹俊诚;黎华;韩英军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/22;H01S5/343;H01L21/20;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种单面金属波导太赫兹量子级联激光器及制作方法，其首先利用气态源分子束外延设备在半绝缘的GaAs衬底依次生长GaAs缓冲层、N型GaAs下波导层、多量子阱级联有源区、加强辅助注入层、N型GaAs上接触层，然后采用光刻显影以及热蒸发的方法，制作上波导(电极)Au层，再采用光刻显影以及湿法腐蚀的方法制作出脊形结构，接着采用光刻显影以及热蒸发的方法制作下电极，然后快速热退火，并按照设计规格解理出高质量的管芯，最后完成管芯的封装。 | ||
| 搜索关键词： | 单面 金属 波导 赫兹 量子 级联 激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种单面金属波导太赫兹量子级联激光器的制作方法，其特征在于包括如下步骤：1)利用气态源分子束外延设备在半绝缘的GaAs衬底依次生长GaAs缓冲层、N型GaAs下波导层、多量子阱级联有源区、加强辅助注入层及N型GaAs接触层；2)采用光刻显影以及热蒸发的方法在所述接触层上制作金属波导层及上电极；3)采用光刻显影以及湿法腐蚀的方法腐蚀所述多量子阱级联有源区、加强辅助注入层、接触层及金属波导层以形成脊形结构；4)采用光刻显影以及热蒸发的方法在所述下波导层上制作下电极；5)对已形成的激光器件进行快速热退火，并按照需要解理出相应的管芯；6)封装所述管芯。
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