[发明专利]磷酸二氢钾孪晶的制备方法

摘要

本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法，是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法，属晶体材料制备技术领域。本发明制备步骤如下：将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切割成大小相同的两段，选择两个要相对粘贴的锥面，将该两锥面用细砂纸磨大并磨成相同大小；然后将两段晶体粘贴到有机玻璃板上，磨大的两个锥面互相平行且间隔1.5cm，另外的两个锥面处在一条直线上；将上述粘贴好的晶体放在事先配制好的饱和磷酸二氢钾溶液中，控制晶体生长的温度条件，并按设计的程序降温，使晶体在溶液中良好生长，整个生长温度区域为50～40℃，最后温度降至室温，最终制得两光轴成90°的KDP孪晶。

主权项

1.一种磷酸二氢钾孪晶的制备方法，主要采用水溶液降温法，其特征在于具有以下的制备过程和步骤：a.将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切割成大小相同的两段，选择两个要相对粘贴的锥面，将该两个锥面用细砂纸磨大，同时也将与磨大锥面相邻的两个锥面磨掉；每段晶体只留两个锥面，相对粘贴的两个锥面要磨成相同大小的两个锥面；b.磨好后将晶体抛光，然后将上述两段晶体粘贴到有机玻璃板上；粘的时候，磨大的两个锥面互相平行且间隔1.5cm；另外两个锥面处在一条直线上；c.将上述粘好的晶体放入磷酸二氢钾(KDP)溶液中，控制生长条件，使晶体在其中生长；事先配制好磷酸二氢钾(KDP)饱和溶液：溶质KDP为分析纯经过一次重结晶的提纯产品，溶剂水为三次蒸馏水；先测出KDP溶液饱和温度，随后用微孔滤膜过滤溶液，再加热该溶液提高至原饱和温度之上15℃的温度，在该温度下预热48小时，然后将溶液温度下降到高出原饱和温度5℃的温度，此时才放入上述的粘好的晶体。d.待所述的晶体稍溶后，将溶液温度下降到原饱和温度，并按设计的程序降温，使晶体在溶液中良好生长；最后取出晶体，用过滤纸吸干晶体表面的溶液，最终制得两光轴成90°的磷酸二氢钾孪晶。