[发明专利]过蚀刻的处理方法有效
| 申请号： | 200710042415.5 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101329990A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 陆骞;常延武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种过蚀刻的处理方法，涉及半导体的湿法蚀刻制程。该处理方法包括如下步骤：提供蚀刻机台，其包括硫酸存储槽、氢氟酸存储槽、反应槽、数条连通所述存储槽和反应槽的管道以及警报器；将硫酸存储槽、氢氟酸存储槽中的浓硫酸和氢氟酸通过管道输入反应槽内混合形成处理液；将待处理晶圆放入反应槽的处理液内，进行湿法蚀刻；警报器发出警报后，向反应槽内加入浓硫酸，将氢氟酸浓度稀释至安全浓度。与现有技术相比，本发明通过向反应槽内添加浓硫酸的方法，来降低氢氟酸的浓度，进而减缓蚀刻速率，使晶圆安全的放置处理液内直至蚀刻机台恢复正常，提高了产品成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种过蚀刻的处理方法，其特征在于，该处理方法包括如下步骤：a.提供蚀刻机台，其包括硫酸存储槽、氢氟酸存储槽、反应槽、数条连通所述存储槽和反应槽的管道以及警报器；b.将硫酸存储槽、氢氟酸存储槽中的浓硫酸和氢氟酸通过管道输入反应槽内混合形成处理液；c.将待处理晶圆放入反应槽的处理液内，进行湿法蚀刻；d.警报器发出警报后，向反应槽内加入浓硫酸，将氢氟酸浓度稀释至安全浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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