[发明专利]包含多个处理平台的去耦合反应离子刻蚀室在审
| 申请号： | 200710042285.5 | 申请日： | 2007-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101076219A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 尹志尧;倪图强;陈金元;钱学煜 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/00;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种包含有两个或更多个并行处理区域的处理室，能够实现等离子体隔离和射频隔离。每一个处理区域均有至少两个射频频率馈入其阴极，其中一个射频频率比另一个射频频率高至少2倍，从而可以提供去耦合反应离子刻蚀的能力。处理室的室体接地。通过频率隔离可以从阴极馈入多个射频频率而不会引起射频串扰和波动。另外，还采用了等离子体限制装置防止等离子体串扰。一个接地的共用排气通道连接到真空泵上。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 处理 平台 耦合 反应 离子 刻蚀 | ||
【主权项】：
1.一种包含至少两个处理区域能够单独地或同时地处理至少两片基片的等离子体处理室，包括：处理室体，包含至少两个等离子体处理区域，每个处理区域在较低位置处设有一个阴极且在处理区域的上部设有一个阳极，所述室体包含排气通道；至少一个真空泵，与所述排气通道相连接；至少两个射频匹配电路，每一个射频匹配电路同时地将至少一第一射频频率和一第二射频频率耦合到其中的一个阴极上；其中，第一射频频率高于第二射频频率。
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