[发明专利]带反射镜的无像元远红外上转换成像装置制造方法

摘要

一种带反射镜的无像元远红外上转换成像装置制造方法。步骤如下：(1)确定探测器类型为砷化镓同质结远红外探测器，发光二极管的顶部和底部DBR反射镜为砷化镓层和铝镓砷层的周期性结构；(2)利用电磁波矢量分解的方法并考虑驻波效应优化了顶部和底部DBR反射镜的参数以及发光二极管的参数；(3)用分子束外延装置先生长出砷化镓同质结远红外探测器，在此基础上依次生长：顶部DBR反射镜、砷化镓和铝镓砷发光二极管、以及底部DBR反射镜，就得到了带反射镜的无像元远红外上转换成像装置。本发明提高了远红外上转换成像的效率，为成熟半导体远红外成像的普遍应用奠定了基础。

主权项

1、一种带反射镜的无像元远红外上转换成像装置制造方法，其特征在于，包括步骤如下：(1)带反射镜的无像元远红外上转换成像装置由砷化镓同质结远红外探测器、砷化镓和铝镓砷发光二极管串联集成得到，在砷化镓和铝镓砷发光二极管的顶部和底部分别设有分布式布拉格反射镜，分布式布拉格反射镜为交替生长的砷化镓层和铝镓砷层的周期性结构；(2)利用电磁波矢量分解的方法，同时考虑驻波效应，得到发光二极管中光子的出射效率，通过使发光二极管中光子出射效率最高来优化分布式布拉格反射镜的参数以及发光二极管的参数；(3)用分子束外延装置先生长砷化镓同质结远红外探测器结构，接着外延生长顶部分布式布拉格反射镜、砷化镓和铝镓砷发光二极管以及底部分布式布拉格反射镜，就得到了带反射镜的无像元远红外上转换成像装置。