[发明专利]一种高密度植入式平面阵列微电极及制作方法有效
| 申请号： | 200710040830.7 | 申请日： | 2007-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101073687A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 李刚;孙晓娜;周洪波;姚源;赵建龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | A61N1/04 | 分类号： | A61N1/04;A61N1/36 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度植入式平面阵列微电极及其制作方法，其特征在于所述的阵列微电极利用聚合物作为绝缘层材料，通过隔层布线的设计，将电极刺激位点或记录位点与其连接导线分布在不同的绝缘层之间，并在隔离绝缘层上制作通孔结构，由电镀工艺在通孔中形成金属连接结构，实现位于隔离绝缘层上下电极刺激位点或记录位点与其连接导线的连接；其中电镀工艺后，采用化学抛光的方法对上层表面进行抛光，保证电镀金属柱与上层溅射金属层良好的电连接。本发明提供的制作方法可以在单位面积上制作比常规单层布线设计更高密度的阵列微电极，实现植入式阵列微电极更高选择性刺激或记录。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 植入 平面 阵列 微电极 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种高密度植入式平面阵列微电极，其特征在于所述的平面阵列微电极结构由一层电极刺激位点或记录位点层、一层通孔连接层和至少一层连接导线层组成。
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