[发明专利]金属硅化物阻挡结构的形成方法及半导体器件无效
| 申请号： | 200710040238.7 | 申请日： | 2007-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101295662A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 毛刚;王家佳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/71 | 分类号： | H01L21/71;H01L21/00;H01L21/31;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属硅化物阻挡结构的形成方法，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积辅助层；利用光刻胶在所述辅助层上定义出第一区域和第二区域；刻蚀所述第一区域的所述辅助层；去除所述光刻胶；湿法腐蚀所述第一区域的所述阻挡层，形成位于所述第二区域上的阻挡结构。本发明的形成方法可以令阻挡层的刻蚀结果均匀一致，避免损伤衬底；同时辅助层的引入可以避免利用光刻胶作为湿法腐蚀的掩膜，消除了光刻胶在酸槽中脱落的风险。利用本发明的金属硅化物阻挡结构的形成方法制作的半导体器件，在制作工艺及器件性能的均匀性方面都可以得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 阻挡 结构 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种金属硅化物阻挡结构的形成方法，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积辅助层；利用光刻胶在所述辅助层上定义出第一区域和第二区域；刻蚀所述第一区域的所述辅助层；去除所述光刻胶；湿法腐蚀所述第一区域的所述阻挡层，形成位于所述第二区域上的阻挡结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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