[发明专利]真空级铝钼硅合金有效
申请号: | 200710039949.2 | 申请日: | 2007-04-25 |
公开(公告)号: | CN101037741A | 公开(公告)日: | 2007-09-19 |
发明(设计)人: | 陆树兴;孙友祥 | 申请(专利权)人: | 上海康沃有色金属经贸物资有限公司;陆树兴 |
主分类号: | C22C21/00 | 分类号: | C22C21/00;C22C27/00;C22C30/00;C22C1/02;B22D21/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 赵永菊 |
地址: | 201907上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明是关于冶炼用的中间合金。一种真空级铝钼硅合金,其特征在于:该合金无偏析、夹渣、结构致密,其组成以重量百分比计为:Mo为40~63%、Si为4.0~5.0%、O≤0.015%、H≤0.002%、N≤0.006%、C≤0.06%、Fe≤0.10%、Al为余量。本发明解决非真空级铝硅合金成份偏析严重、合金夹渣、不致密、气体杂质含量高的技术问题,其次解决合金钼含量偏低的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 真空 级铝钼硅 合金 | ||
【主权项】:
1、一种真空级铝钼硅合金,其特征在于:该合金无偏析、夹渣、结构致密,其组成以重量百分比计为:Mo为40~63%、Si为4.0~5.0%、O≤0.015%、H≤0.002%、N≤0.006%、C≤0.06%、Fe≤0.10%、Al为余量。
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