[发明专利]多晶硅沉积制程无效
| 申请号： | 200710039782.X | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101289739A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 翟志刚;李远哲;陈鸿奎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/24 | 分类号： | C23C16/24;C23C16/52;C30B28/14 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅沉积制程，首先在反应机台上调节反应参数，在反应炉内充入硅烷(SiH4)以在衬底上形成多晶硅，当沉积结束后，结束硅烷的充入。与现有技术相比，对于深宽比大于2∶1的沟槽，本发明通过调节机台的反应参数(反应炉内压力调节至小于500毫托，硅烷流量调节至小于0.5升/分钟，反应温度设置为560℃)，可以改善多晶硅的填充能力，有效防止沉积的多晶硅中出现空洞。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 沉积 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅沉积制程，首先在反应机台上调节反应参数，在反应炉内充入硅烷(SiH4)以在衬底上形成多晶硅，当沉积结束后，结束硅烷的充入；其特征在于：机台的反应参数中，反应炉内压力调节至小于500毫托。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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