[发明专利]闪存结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200710039431.9 | 申请日： | 2007-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101286513A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/788;H01L29/49;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种闪存结构及其制造方法，其在一半导体基底表面利用介电间隙物来形成一P型多晶硅层做为浮动栅极；再于其上形成一绝缘介电层及一控制栅极，且该控制栅极覆盖该P型浮动栅极，以完成一闪存组件的构造。本发明能降低费米能级，维持电性的质量的条件下，可有效降低隧穿氧化层(tunneling oxide)厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、 一种闪存组件的构造，其特征在于包括：一半导体基底，其内设有多个离子掺杂区域，以分别作为源极及漏极，且在该基底表面已形成有一氧化层；一浮动栅极，其覆迭于该源极和漏极之间的该半导体基底上，并以该氧化层将源极和漏极隔离；一绝缘介电层，位于该浮动栅极表面与露出的该氧化层表面；以及一控制栅极，其迭设于该绝缘介电层的表面而覆盖住该尖角结构；该浮动栅极为一降低隧穿效应作用的P型多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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