[发明专利]具有双离子注入的PMOS结构及其方法无效
| 申请号： | 200710039423.4 | 申请日： | 2007-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101286527A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有双离子注入的PMOS结构及其方法，其包括一N型半导体基底，一栅极氧化层，一多晶硅栅极，且有一源/漏极位于N型半导体基底内，其由较深的硼离子掺杂区与其内较浅的氟化硼离子掺杂区所组成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 离子 注入 pmos 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、 一种具有双离子注入的PMOS结构，其特征在于包括：一N型半导体基底；一栅极氧化层，其位于该N型半导体基底上；一多晶硅栅极，其位于该栅极氧化层上；一源/漏极，其位于该N型半导体基底内并分别位于该多晶硅栅极之两侧，而该源/漏极由较深的硼离子掺杂区与其内较浅的氟化硼离子掺杂区所组成。
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