[发明专利]半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构无效
| 申请号： | 200710037951.6 | 申请日： | 2007-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN101261980A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 胡剑;曹立;何军;黄圣扬;萧维沧 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构，包括P型半导体衬底、该衬底表面的N+注入区、多晶硅线和金属硅化物有源区，其中金属硅化物有源区设置于相邻的两根多晶硅线之间，该金属硅化物有源区中设置有连通引出结构。采用该种半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构，不仅结构简单，监控方便有效，而且可以直接放置于划片槽中即可实现有效监测，很容易检测出目前半导体集成电路中经常使用的两种常见结构中的金属硅化物形成质量，大大提高了集成电路芯片的成品率、稳定性和寿命，同时监控检测过程稳定可靠，通用性较强，使用范围较为广泛，为现代超大规模集成电路工业的发展奠定了坚实的基础。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 监控 金属硅 形成 质量 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构，包括P型半导体衬底、该衬底表面的N+注入区、多晶硅线和金属硅化物有源区，其特征在于，所述的金属硅化物有源区设置于相邻的两根多晶硅线之间，该金属硅化物有源区中设置有连通引出结构。
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