[发明专利]用于集成电路引线框架的合金材料及其制备方法无效
申请号: | 200710036662.4 | 申请日: | 2007-01-19 |
公开(公告)号: | CN101008056A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 张修庆;叶以富;徐祖豪;顾小兰;邓鉴棋 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 |
主分类号: | C22C9/00 | 分类号: | C22C9/00;H01B1/02;C22C1/03;C22F1/08 |
代理公司: | 上海顺华专利代理有限责任公司 | 代理人: | 陈淑章 |
地址: | 200237*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于集成电路引线框架的合金材料及其制备方法。所说的合金材料由单质铜、单质钒和稀土元素组成,以所述铜合金的总重量为100%计,钒的含量为0.05wt%~5.00wt%,稀土元素的含量为0.01wt%~1.00wt%。其中,所说的稀土元素是指:镧系中各元素、锕系中各元素、钪元素或钇元素,或两种或两种以上所说元素的混合。本发明首先制得中间合金Cu-V和Cu-RE,然后将单质铜在真空条件下熔化,并将制得的中间合金按照一定的重量分数添加到单质铜熔体中,经保温、浇注和铸后处理得Cu-V-RE合金。本发明制备的铜合金(Cu-V-RE),其抗拉强度可达580Mpa,导电率可达80%IACS。 | ||
搜索关键词: | 用于 集成电路 引线 框架 合金材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种铜合金,其由单质铜、单质钒和稀土元素组成,以所述铜合金的总重量为100%计,钒的含量为0.05wt%~5.00wt%,稀土元素的含量为0.01wt%~1.00wt%;其中,所说的稀土元素是指:镧系中各元素、锕系中各元素、钪元素或钇元素,或两种或两种以上所说元素的混合。
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