[发明专利]利用纳米硅丝做模板合成单晶β－Si3N4纳米线的方法无效
| 申请号： | 200710036554.7 | 申请日： | 2007-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101024904A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 牛俊杰;王健农 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B29/62 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;张宗明 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种利用纳米硅丝做模板合成单晶β－Si3N4纳米线的方法，属于纳米材料技术领域。本发明采用硅片作为反应衬底和硅源，以贵金属金为催化剂、以惰性气体氮气为保护气体及反应气体进行化学反应，生成的纳米硅丝及其氧化物作为模板与氮气发生氮化反应，从而在硅片上生长成大量单晶β－Si3N4纳米线。本发明工艺简单易行，产品纯度高，而且成本低廉，对环境无污染，无明显易燃危险原料，气体价格低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 纳米 硅丝做 模板 合成 si sub 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用纳米硅丝做模板合成单晶β-Si3N4纳米线的方法，其特征在于，采用硅片作为反应衬底和硅源，以贵金属金为催化剂、以惰性气体氮气为保护气体及反应气体进行化学反应，生成的纳米硅丝及其氧化物作为模板与氮气发生氮化反应，从而在硅片上生长成单晶β-Si3N4纳米线。
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