[发明专利]最大电流选择器无效
申请号: | 200710035337.6 | 申请日: | 2007-07-10 |
公开(公告)号: | CN101087133A | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 李少青;王建军;张民选;陈吉华;赵振宇;陈怒兴;马剑武;何小威;欧阳干;唐世民;王东林;邹金安;雷建武;郑东裕;王洪海 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | H03K5/24 | 分类号: | H03K5/24;H03M1/34 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所 | 代理人: | 赵洪 |
地址: | 410073湖南省长沙市砚瓦池正街47号*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种最大电流选择器,它包括第一CMOS晶体管M26、第二CMOS晶体管M24、第三CMOS晶体管M23和第四CMOS晶体管M7,第一CMOS晶体管M26、第二CMOS晶体管M24、第三CMOS晶体管M23和第四CMOS晶体管M7的源极相连并连接到电源,第二CMOS晶体管M24和第三CMOS晶体管M23的栅极相连都连接到节点Vn1,第一CMOS晶体管M26和第四CMOS晶体管M7的漏极相连作为电流输出信号Io,第一CMOS晶体管M26和第二CMOS晶体管M244的栅极连接到电压输入信号Vn0。本发明是一种结构简单、能够提高比较器工作效率的最大电流选择器。 | ||
搜索关键词: | 最大 电流 选择器 | ||
【主权项】:
1、一种最大电流选择器,其特征在于:它包括第一CMOS晶体管M26、第二CMOS晶体管M24、第三CMOS晶体管M23和第四CMOS晶体管M7,第一CMOS晶体管M26、第二CMOS晶体管M24、第三CMOS晶体管M23和第四CMOS晶体管M7的源极相连并连接到电源,第二CMOS晶体管M24和第三CMOS晶体管M23的栅极相连都连接到节点Vn1,第一CMOS晶体管M26和第四CMOS晶体管M7的漏极相连作为电流输出信号Io,第一CMOS晶体管M26和第二CMOS晶体管M24的栅极连接到电压输入信号Vn0。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科学技术大学,未经中国人民解放军国防科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710035337.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:复合树汁琼脂培养基及其加工方法
- 下一篇:带压阻传感器的微型二维扫描镜