[发明专利]一种基于场效应管的纳米流体传感器无效

专利信息
申请号: 200710025611.1 申请日: 2007-08-08
公开(公告)号: CN101130750A 公开(公告)日: 2008-02-27
发明(设计)人: 陈云飞;葛艳艳;王玉娟;杨决宽;仲武;陈敏 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: C12M1/34 分类号: C12M1/34;C12Q1/68;G01N27/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 陆志斌
地址: 21009*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种基于场效应管的纳米流体传感器,涉及一种纳米流体传感器,特别是可以将纳米通道中介质导电性的微小变化放大为场效应管漏极电流波动的纳米流体传感器。本发明包括场效应管栅极,在场效应管栅极上设置纳米通道,在纳米通道的两侧分别连接左右微米通道,由微米通道中介质、纳米通道中介质和正负电极组成栅极控制回路;所述栅极控制回路的电阻由纳米通道中介质的电阻R和两个微米通道中介质的电阻R1、R2串联组成。本发明目的是提供了一种可以将介质导电性的微小变化放大为场效应管漏极电流的波动,灵敏度高的基于场效应管的纳米流体传感器。
搜索关键词: 一种 基于 场效应 纳米 流体 传感器
【主权项】:
1.一种基于场效应管的纳米流体传感器,包括场效应管栅极,其特征是:在场效应管栅极(5)上设置纳米通道(1),在纳米通道(1)的两侧分别连接左右微米通道(4)、(6),由微米通道中介质、纳米通道中介质和正负电极组成栅极控制回路;所述栅极控制回路的电阻由纳米通道(1)中介质的电阻R和两个微米通道(4)、(6)中介质的电阻R1、R2串联组成。
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