[发明专利]半导体管芯总成去杂质离子的清洗方法

摘要

本发明涉及一种半导体管芯总成去杂质离子的清洗方法，将待清洗的半导体管芯总成插置在清洗槽内，将腐蚀剂倒入清洗槽内，对其表面进行腐蚀并除去有机污物，时间控制在1～10min内，斜置清洗槽倒除腐蚀剂，用去离子水快速斜冲洗半导体管芯总成；将前清洗剂倒入清洗槽内，去除其表面的金属离子和有机物，在半导体管芯总成的硅界面形成氧化层，清冼时间控制在1～5min，倒除前清洗剂，用去离子水快速冲洗其表面；再将后清洗剂倒放清洗槽内，去除其表面的重金属离子及有机物，时间控制在1～5min，倒除后清洗剂，用去离子水快速冲洗表面；再通过超声波进行清洗和干燥。本发明操作方便，在低成本的前提下，能提高半导体二极管的性能。

主权项

1、一种半导体管芯总成去杂质离子的清洗方法，其特征在于：(1)、将待清洗的半导体管芯总成插置在清洗槽内，将腐蚀剂倒入清洗槽内，对半导体管芯总成表面进行腐蚀并除去有机污物，时间控制在1～10min内，斜置清洗槽倒除腐蚀剂，用高压去离子水快速斜冲洗半导体管芯总成表面；(2)、将前清洗剂倒入清洗槽内，去除半导体管芯总成表面的金属离子和有机物，并在半导体管芯总成的晶粒表面形成氧化保护层，清冼时间控制在1～5min，倒除前清洗剂，用高压去离子水快速斜冲洗半导体管芯总成表面；(3)、再将后清洗剂倒入清洗槽内，去除半导体管芯总成表面的金属离子及有机物，时间控制在1～5min，倒除后清洗剂，用高压去离子水快速斜冲洗半导体管芯总成表面；(4)、将清洗槽放置在水洗槽内，用超声波清洗，脱水后将半导体管芯总成放置在纯度为99.999％的氮气气氛下加热到120～150℃进行干燥；按体积百分比，上述的腐蚀剂是分析级或优级纯20％～30％的硝酸、20％～30％的氢氟酸、8％～15％的硫酸以及30％～40％的冰乙酸混合溶液，前清洗剂是分析级或优级纯15％～35％的磷酸、15％～35％的双氧水以及40％～60％的去离子水混合溶液，后清洗剂是分析级或优级纯55％～70％的硫酸、3％～12％的重铬酸钾和25％～35％的去离子水混合溶液；或是分析级或优级纯10％～25％的硫酸、10％～25％的硝酸、10％～25％的盐酸以及40％～55％的去离子水混合溶液。