[发明专利]一种制备亚稳态Cu基和Ni基双层合金复合箔的装置无效
| 申请号： | 200710019099.X | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101168185A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 翟秋亚;徐锦锋 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | B22D11/06 | 分类号： | B22D11/06;B22D11/14 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备亚稳态Cu基和Ni基双层合金复合箔的装置，包括真空室，在真空室的壁板上设置有真空泵和由电机驱动的辊轮，在真空室的上面连接有小真空室，小真空室设置有氩气进口，小真空室的底部与坩埚连接，坩埚放置在高频感应线圈中，坩埚的内腔被中隔分开成两个熔炼室，每个熔炼室的底部都开设有一个喷嘴，高频感应线圈位于辊轮的上方，在真空室的侧边设置有收集室。本发明装置能够实施亚稳态Cu基和Ni基双层合金复合箔的制备，工艺简单，操作方便，便于广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 亚稳态 cu ni 双层 合金 复合 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制备亚稳态Cu基和Ni基双层合金复合箔的装置，其特征在于：包括一真空室(5)，在真空室(5)的壁板上设置有真空泵(11)和由电机(7)驱动的辊轮(8)，在真空室(5)的上面连接有小真空室(1)，小真空室(1)设置有氩气进口，小真空室(1)的底部与坩埚(2)接通，坩埚(2)的内腔被中隔分开成两个熔炼室，每个熔炼室的底部分别开设有一个喷嘴，坩埚(2)放置在高频感应线圈(6)中，高频感应线圈(6)位于辊轮(8)的上方，在真空室(5)的侧边设置有收集室(3)。
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