[发明专利]负居里点正温度系数PTCR热敏电阻元件无效
| 申请号： | 200710018369.5 | 申请日： | 2007-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101127265A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 陈玉富;牛顺祥 | 申请（专利权）人： | 韩城市华龙电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 715400陕西省韩城市新城*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明负居里点正温度系数PTCR热敏电阻元件属一种集过流、过压、过热三种参数为一体的功能保护型热敏电阻元件，由主体热敏电阻芯片和两根引线组成，其中热敏电阻芯片中的钛酸钡半导体瓷体原料由二氧化钛、碳酸钡、碳酸锶等十一种原料煅烧制成，由于在材料中掺入多种少量烯土原料，并通过最佳煅烧温度及升温、降温速率，形成优良PTC性能，使其电阻率处在20Ω·cm－20KΩ·cm之间，在居里温度TC以上温区，电阻可以突然跃增几个数量级，TC降到－15℃、－20℃、－30℃，使元件应用的产品可以附合国际客商提出的技术要求。 | ||
| 搜索关键词： | 居里 温度 系数 ptcr 热敏电阻 元件 | ||
【主权项】：
1.一种负居里点正温度系数PTCR热敏电阻元件，由主体热敏电阻芯片和两根引线组成，其特征是：热敏电阻芯片中的钛酸钡半导体瓷体原料配方组成是：碳酸钡0.5摩尔，碳酸锶0.5摩尔，二氧化钛1.023摩尔，三氧化二钇0.007摩尔，五氧二钽0.0015摩尔，二氧化硅0.02摩尔，五氧化二铌0.0008摩尔，碳酸钙0.005摩尔，三氧化二铝0.004摩尔，二氧化锰0.03摩尔，分子银0.02摩尔。
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