[发明专利]高温分离法生产高纯度硅的方法有效
| 申请号： | 200710018162.8 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101332993A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 蔡华宪 | 申请（专利权）人： | 商南中剑实业有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人： | 徐秦中;王少文 |
| 地址： | 7263*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯度硅的生产方法，包括以下步骤：准备硅溶液，除渣，二次除渣，定向凝固分离；本发明解决了现有高纯度硅生产方法工艺过程复杂，能源消耗大，无法大规模工业生产的技术问题，具有生产工艺简单、能量损耗小、杂质含量少，高纯度硅的纯度高、消除了炉底上涨现象、反应速度快、炉体结构简单、对现有生产设备的改进很少的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 分离法 生产 纯度 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高温分离法生产高纯度硅的方法，其特征在于：其包括以下步骤：1]准备硅溶液：用正常工艺在矿热炉中生产硅溶液，保证熔炼好的硅熔液温度不低于2000℃；2]除渣：将温度不低于2000℃的高温硅熔液倒入有保温措施的结晶器中，温度保持在1500～1900℃，气压为1个标准大气压，结晶器底部中间通入空气和或惰性气体使熔液为翻腾状态，保持1～2h；3]定向凝固分离：将二次除渣处理后的硅熔液自然冷却至环境温度，则凝固分离后得到高纯度硅层。
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