[发明专利]一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网格的方法无效
| 申请号： | 200710010519.8 | 申请日： | 2007-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN101256950A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 丛洪涛;唐永炳;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/306;H01J9/02 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张致仁 |
| 地址： | 110015辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种刻蚀基板法外延定向生长AlN纳米片网格的方法，采用刻蚀Si基板和反应物气相蒸发法制备垂直排列的AlN纳米片蜂窝状网格，首先用含1－5％的氢氟酸或盐酸腐蚀液刻蚀Si片1－20min，然后去除表面的氧化硅薄膜，用Al+AlCl3作反应物放置在真空CVD炉的恒温区，刻蚀后的Si片作沉积基板放在出气端，用蒸发法制备出具有蜂窝状网格形状的AlN纳米片。这种Si基板自生模板，与常规氧化铝多孔模板相比，可避免外加模板的杂质污染和清除模板时对所生长纳米结构的破坏。又因为Si基板表面的刻蚀沟槽是连通的，所以这种刻蚀基板法更适合外延定向生长纳米片网格结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 基板法 外延 定向 生长 氮化物 纳米 网格 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种刻蚀基板法外延定向生长AlN纳米片网格的方法，其特征在于：所述的刻蚀基板法外延定向生长AlN纳米片网格的方法为采用刻蚀Si基板和反应物气相蒸发法制备垂直排列的AlN纳米片蜂窝状网格，首先，用含1-5％的氢氟酸或盐酸腐蚀液刻蚀Si片1-20min，然后去除表面的氧化硅薄膜，用Al+AlCl3作反应物放置在真空CVD炉的恒温区，刻蚀后的Si片作沉积基板放在出气端，用蒸发法制备出具有蜂窝状网格形状的AlN纳米片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
