[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710008070.1 | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101017847A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 林怡君;吴国铭;柳瑞兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L27/02;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/82 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括：一基底，其内设置有一第一阱区；一栅极结构，部分覆盖该基底，其中该栅极结构包括一栅极介电层与该栅极介电层上的一栅极；一沟道阱区与一第二阱区，分别位于该第一阱区中的一部分且设置于该栅极结构的对应侧；一源极区，位于该沟道阱区的一部分中；以及一漏极区，位于该第二阱区的一部分中，其中该栅极介电层包括位于邻近该源极区的该栅极结构一端的一相对薄的部分，以及位于邻近该漏极区的该栅极结构一端的一相对厚的部分，该相对厚的部分直接接触该漏极区。本发明提供的一种适用于在高电压下操作的半导体装置，其具有较低的导通电阻，并且有利于进一步缩减半导体装置的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，适用于高电压操作，包括：一基底，其内设置有一第一阱区；一栅极结构，部分覆盖该基底，其中该栅极结构包括一栅极介电层与该栅极介电层上的一栅极；一沟道阱区与一第二阱区，分别位于该第一阱区中的一部分且设置于该栅极结构的对应侧；一源极区，位于该沟道阱区的一部分中；以及一漏极区，位于该第二阱区的一部分中，其中该第一阱区与该第二阱区具有相异于该基底的一掺杂类型，该沟道区具有相同于该基底的一掺杂类型；其中该栅极介电层包括位于邻近该源极区的该栅极结构一端的一相对薄的部分，以及位于邻近该漏极区的该栅极结构一端的一相对厚的部分，该相对厚的部分直接接触该漏极区。
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