[发明专利]半导体激光器件有效
| 申请号： | 200710007712.6 | 申请日： | 2007-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101013796A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | 细羽弘之 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/323;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器件，包括形成于第一导电类型的半导体衬底上的第一导电类型的缓冲层，第一导电类型的覆层、有源层和第二导电类型的覆层，其中所述第一导电类型的缓冲层中的带隙具有大于所述半导体衬底的带隙且小于所述第一导电类型的覆层的带隙的值，且所述第一导电类型的缓冲层中的杂质浓度高于所述第一导电类型的覆层中的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件，包括形成于第一导电类型的半导体衬底上的所述第一导电类型的缓冲层、所述第一导电类型的覆层、有源层和第二导电类型的覆层，其中所述第一导电类型的缓冲层中的带隙具有大于所述半导体衬底的带隙且小于所述第一导电类型的覆层的带隙的值，且所述第一导电类型的缓冲层中的杂质浓度高于所述第一导电类型的覆层中的杂质浓度。
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