[发明专利]半导体能束探测元件

摘要

光电二极管阵列(1)包括P+扩散层(4、5)和N+沟道阻挡层(6、7)以及N+扩散层(8)。P+扩散层(4、5)和N+沟道阻挡层(6、7)设置在半导体衬底(3)的背面一侧。N+沟道阻挡层(6)设置在相邻的P+扩散层(4、5)之间，具有网络状以隔离P+扩散层(4、5)。N+沟道阻挡层(7)在P+扩散层阵列的外侧与N+沟道阻挡层(6)接连起来被设置成框状。N+沟道阻挡层(7)的宽度被作成为比N⁺沟道阻挡层(6)的宽度宽。闪烁体光学性地连接到半导体衬底(3)的入射面上。

主权项

1.一种半导体能束探测元件，其特征在于，具备由第1导电类型的半导体构成的半导体衬底，所述半导体衬底具有入射规定波长区域的能束的入射面，在与所述半导体衬底的所述入射面相反的背面一侧，设置有由第2导电类型的半导体构成的多个第2导电类型的扩散层；和由杂质浓度比所述半导体衬底高的第1导电类型的半导体构成的第1导电类型的扩散层；所述第1导电类型的扩散层，由设置在所述第2导电类型的扩散层之间，用于分离所述第2导电类型的扩散层的第1部分的第1导电类型的扩散层，和设置在所述半导体衬底的端部的第2部分的第1导电类型的扩散层构成；所述第1部分的第1导电类型的扩散层和所述第2部分的第1导电类型的扩散层电连接。