[发明专利]标准组件集成电路的布局架构及其形成方法以及数字系统无效
申请号: | 200710006999.0 | 申请日: | 2007-02-01 |
公开(公告)号: | CN101114644A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 刘典岳;彭秀珍 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/82;G06F17/50 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明为一种标准组件集成电路的布局架构及其形成方法以及数字系统。该布局架构包含一基底,多个第一电源线设于基底之上,每一第一电源线耦接到一电源,相邻的两条第一电源线耦接到二个电源。一填空电容设于至少三个相邻的第一电源线下,且耦接到第一与第二电源。填空电容具有第一与第二MOS电容。第一MOS电容形成有一第一栅,第一栅与一第一主动区中的一第一基体相重叠,第一栅耦接到第一电源,第一基体耦接到第二电源。第二MOS电容形成有一第二栅,第二栅与一第二主动区中的一第二基体相重叠,第二栅耦接到第二电源,第二基体耦接到第一电源。至少三个相邻的第一电源线中的一中间第一电源线至少横跨过第一主动区与第二主动区其中之一。 | ||
搜索关键词: | 标准 组件 集成电路 布局 架构 及其 形成 方法 以及 数字 系统 | ||
【主权项】:
1.一种布局架构,用于具有多个电路组件的一标准组件集成电路,其特征是,所述的电路组件排成一数组,所述的布局架构包含有:一基底;数个第一电源线,设于所述的基底之上,每一第一电源线耦接到一电源并延伸于所述的电路组件上,其中,相邻的两条第一电源线耦接到不一样的二电源;以及一填空电容,设于至少三个相邻的第一电源线下,且耦接到第一与第二电源,其中,该填空电容具有第一与第二MOS电容,该第一MOS电容形成有一第一栅,该第一栅与一第一主动区中的一第一基体相重叠,该第一栅耦接到所述的第一电源,该第一基体耦接到所述的第二电源,所述的第二MOS电容形成有一第二栅,该第二栅与一第二主动区中的一第二基体相重叠,该第二栅耦接到所述的第二电源,该第二基体耦接到所述的第一电源;其中,所述的至少三个相邻的第一电源线中的一中间第一电源线至少横跨过所述的第一主动区与所述的第二主动区其中之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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