[发明专利]标准组件集成电路的布局架构及其形成方法以及数字系统无效

专利信息
申请号: 200710006999.0 申请日: 2007-02-01
公开(公告)号: CN101114644A 公开(公告)日: 2008-01-30
发明(设计)人: 刘典岳;彭秀珍 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L21/82;G06F17/50
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明为一种标准组件集成电路的布局架构及其形成方法以及数字系统。该布局架构包含一基底,多个第一电源线设于基底之上,每一第一电源线耦接到一电源,相邻的两条第一电源线耦接到二个电源。一填空电容设于至少三个相邻的第一电源线下,且耦接到第一与第二电源。填空电容具有第一与第二MOS电容。第一MOS电容形成有一第一栅,第一栅与一第一主动区中的一第一基体相重叠,第一栅耦接到第一电源,第一基体耦接到第二电源。第二MOS电容形成有一第二栅,第二栅与一第二主动区中的一第二基体相重叠,第二栅耦接到第二电源,第二基体耦接到第一电源。至少三个相邻的第一电源线中的一中间第一电源线至少横跨过第一主动区与第二主动区其中之一。
搜索关键词: 标准 组件 集成电路 布局 架构 及其 形成 方法 以及 数字 系统
【主权项】:
1.一种布局架构,用于具有多个电路组件的一标准组件集成电路,其特征是,所述的电路组件排成一数组,所述的布局架构包含有:一基底;数个第一电源线,设于所述的基底之上,每一第一电源线耦接到一电源并延伸于所述的电路组件上,其中,相邻的两条第一电源线耦接到不一样的二电源;以及一填空电容,设于至少三个相邻的第一电源线下,且耦接到第一与第二电源,其中,该填空电容具有第一与第二MOS电容,该第一MOS电容形成有一第一栅,该第一栅与一第一主动区中的一第一基体相重叠,该第一栅耦接到所述的第一电源,该第一基体耦接到所述的第二电源,所述的第二MOS电容形成有一第二栅,该第二栅与一第二主动区中的一第二基体相重叠,该第二栅耦接到所述的第二电源,该第二基体耦接到所述的第一电源;其中,所述的至少三个相邻的第一电源线中的一中间第一电源线至少横跨过所述的第一主动区与所述的第二主动区其中之一。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司,未经联发科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710006999.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top