[发明专利]具有真空系统的半导体器件制造设备无效
申请号: | 200710006595.1 | 申请日: | 2007-02-06 |
公开(公告)号: | CN101026085A | 公开(公告)日: | 2007-08-29 |
发明(设计)人: | 金庆泰;崔哲焕;金暻台;崔准佑 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/311;H01J37/18;H01J37/32;H01J37/00;C23C14/56;C23C16/54;C2 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体器件制造设备,该半导体器件制造设备具有真空系统,该真空系统增强了从所述设备的真空室排放的气体的流畅性。该真空系统具有排气管路和节流阀,所述节流阀包括排气管路开关构件,将排气管路开关构件定向,通过排气管路中的集中的气流来容易地打开排气管路开关构件。该真空系统可包括加热气体通过的排气管路的加热单元。另外,在排气管路开关构件的排气管路开关构件上游的弯曲部可具有逐渐弯曲的形状和/或可以包成小于90度的角度。结果,增强了所述处理室的抽真空的效率,这使得控制处理室的压力更容易且使得对节流阀和排气管路的污染最小化。 | ||
搜索关键词: | 具有 真空 系统 半导体器件 制造 设备 | ||
【主权项】:
1、基底处理设备,包括:真空室;真空系统,从所述真空室排放气体,所述真空系统包括泵单元,所述泵单元包括真空泵;排气管路,在所述真空室外部延伸,并将所述真空泵连接到所述真空室,所述排气管路具有弯曲部,使得通过所述真空泵从所述真空室排放出的气体以这样的流速流动,气体流过所述排气管路的在所述弯曲部下游的给定位置截取的截面区域的一部分的速率大于其流过所述截面区域的剩余部分的速率;节流阀单元,包括排气管路开关构件,所述排气管路开关构件是板的形式,所述板的形状与所述排气管路的所述截面区域形状对应并位于所述排气管路的所述给定位置,所述排气管路开关构件安装到所述排气管路的方式为,所述排气管路开关构件围绕在所述给定位置横跨所述排气管路延伸的旋转轴是可旋转的,由此,所述排气管路开关构件具有分别位于所述旋转轴的相对两侧的第一部分和第二部分,其中,当所述排气管路开关构件处于闭合位置时,所述排气管路开关构件的所述第二部分占据所述排气管路的所述截面区域的所述一部分,所述排气管路开关构件的所述第一部分占据所述排气管路的所述截面区域的所述剩余部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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