[发明专利]具有真空系统的半导体器件制造设备无效

专利信息
申请号: 200710006595.1 申请日: 2007-02-06
公开(公告)号: CN101026085A 公开(公告)日: 2007-08-29
发明(设计)人: 金庆泰;崔哲焕;金暻台;崔准佑 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/311;H01J37/18;H01J37/32;H01J37/00;C23C14/56;C23C16/54;C2
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 郭鸿禧;刘奕晴
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了一种半导体器件制造设备,该半导体器件制造设备具有真空系统,该真空系统增强了从所述设备的真空室排放的气体的流畅性。该真空系统具有排气管路和节流阀,所述节流阀包括排气管路开关构件,将排气管路开关构件定向,通过排气管路中的集中的气流来容易地打开排气管路开关构件。该真空系统可包括加热气体通过的排气管路的加热单元。另外,在排气管路开关构件的排气管路开关构件上游的弯曲部可具有逐渐弯曲的形状和/或可以包成小于90度的角度。结果,增强了所述处理室的抽真空的效率,这使得控制处理室的压力更容易且使得对节流阀和排气管路的污染最小化。
搜索关键词: 具有 真空 系统 半导体器件 制造 设备
【主权项】:
1、基底处理设备,包括:真空室;真空系统,从所述真空室排放气体,所述真空系统包括泵单元,所述泵单元包括真空泵;排气管路,在所述真空室外部延伸,并将所述真空泵连接到所述真空室,所述排气管路具有弯曲部,使得通过所述真空泵从所述真空室排放出的气体以这样的流速流动,气体流过所述排气管路的在所述弯曲部下游的给定位置截取的截面区域的一部分的速率大于其流过所述截面区域的剩余部分的速率;节流阀单元,包括排气管路开关构件,所述排气管路开关构件是板的形式,所述板的形状与所述排气管路的所述截面区域形状对应并位于所述排气管路的所述给定位置,所述排气管路开关构件安装到所述排气管路的方式为,所述排气管路开关构件围绕在所述给定位置横跨所述排气管路延伸的旋转轴是可旋转的,由此,所述排气管路开关构件具有分别位于所述旋转轴的相对两侧的第一部分和第二部分,其中,当所述排气管路开关构件处于闭合位置时,所述排气管路开关构件的所述第二部分占据所述排气管路的所述截面区域的所述一部分,所述排气管路开关构件的所述第一部分占据所述排气管路的所述截面区域的所述剩余部分。
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