[发明专利]增加透明导电氧化物光散射能力的方法无效
| 申请号: | 200710004974.7 | 申请日: | 2007-02-14 |
| 公开(公告)号: | CN101246921A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
| 发明(设计)人: | 李沅民;马昕 | 申请(专利权)人: | 北京行者多媒体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/042;H01L31/0236;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种增加透明导电氧化物光散射能力的方法。首先将平展的玻璃基板进行处理,使其表面具有适当的微米尺寸的粗糙结构,使其后所沉积的透明导电氧化物具有相似的表面结构,在此种透明导电氧化物上形成的薄膜光伏器件具有更高的光吸收能力和转换效率。 | ||
| 搜索关键词: | 增加 透明 导电 氧化物 散射 能力 方法 | ||
【主权项】:
1. 一个p-i-n型光伏器件,它的结构依次包括:一个玻璃基板;一个透明导电前接触层;一个或多个由基于氢化硅的薄膜构成的p-i-n型光伏单元;一个具有光反射性能的背电极,它可以包括第二透明导电氧化物和一个或多个金属薄膜。其特征在于:玻璃基板被机械或化学的方法处理,使其一个表面具有粗糙结构,然后在该表面上沉积透明导电前接触层,该接触层拥有类似的粗糙结构,使其光散射能力大为改善,提高所述光伏器件对弱吸收光的捕获能力,及其光电转换效率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京行者多媒体科技有限公司,未经北京行者多媒体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710004974.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:装载机电子秤A
- 下一篇:一种防止创伤皮肤瘢痕的复方蜈蚣酒精药糊
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





