[发明专利]具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710004792.X | 申请日： | 2007-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101017825A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 尹在万;金奉秀;徐亨源;李康润 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L23/522;H01L21/8239;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了具有能够减小围绕有源柱的栅电极和连接栅电极的字线之间的界面接触阻抗的垂直沟道的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括多个有源柱，在垂直于半导体衬底的表面的方向上延伸。字线结构形成在外周边上，用于连接在相同的行或列中设置的有源柱。与字线结构相关，顶和底源区/漏区分别形成在有源柱之上和之下。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 沟道 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有垂直沟道的半导体器件，包括：半导体衬底；多个有源柱，在垂直于所述半导体衬底的表面的方向上延伸；字线结构，具有围绕所述有源柱的外周边的行和列，所述字线结构连接到在相应行或列中设置的所述有源柱；顶源区/漏区，设置在所述有源柱之上，以及底源区/漏区，设置在所述有源柱之下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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