[发明专利]数字信号电平转换电路无效

专利信息
申请号: 200710004493.6 申请日: 2007-01-15
公开(公告)号: CN101013890A 公开(公告)日: 2007-08-08
发明(设计)人: 埃罗尔·阿什兰;奥维迪乌·贝耶德基 申请(专利权)人: 美国博通公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03K19/0185
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 代理人: 蔡晓红;纪媛媛
地址: 美国加州尔湾市奥尔顿公*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及一种将数字输入信号从第一电压电平转换到具有更高电压的另一电压电平的数字输出信号的电路,该更高的电压被设定为信号的高电平状态,所述电路包括门闩电路以及与所述门闩电路相连接的一对N-MOS晶体管。本发明的改进之处在于:所述N-MOS晶体管是自然厚氧化层N-MOS晶体管,并且每个自然厚氧化层N-MOS晶体管都连接一个薄氧化层N-MOS晶体管,从而降低漏电流和改善过渡状态中的速度。
搜索关键词: 数字信号 电平 转换 电路
【主权项】:
1、一种数字信号电平转换电路,用于将数字输入信号从第一电压电平转换到具有更高电压电平的第二电压电平的数字输出信号,所述电路包括:用于接收数字输入信号的第一输入连接端和用于接收反向数字输入信号的第二输入连接端;用于输出数字输出信号的第一输出连接端和用于输出反向数字输出信号的第二输出连接端;与电压源的高电位连接的第一电压源连接端以及与电压源的参考电位连接的第二电压源连接端;其特征在于,所述电路还包括:与所述第一电压源连接端连接的门闩电路,所述更高电压电平是所述门闩电路的第一和第二输出连接端的输出电压电平;第一和第二N-MOS晶体管,所述第一N-MOS晶体管与所述门闩电路的第一输出连接端连接,所述第二N-MOS晶体管与所述门闩电路的第二输出连接端连接,其中,所述第一N-MOS晶体管的状态由所述第一输入连接端的状态控制,所述第二N-MOS晶体管的状态由所述第二输入连接端的状态控制;第一和第二开关器件,所述第一开关器件将所述第一N-MOS晶体管的漏极连接到所述第二电压源连接端,所述第二开关器件将所述第二N-MOS晶体管的漏极连接到所述第二电压源连接端,其中,第一开关器件的状态由所述第一输入连接端的状态控制,第二开关器件的状态由所述第二输入连接端的状态控制,其中,所述第一和第二开关器件进入截止OFF状态的切换时间小于所述第一和第二N-MOS晶体管进入截止OFF状态的时间。
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