[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 200710004088.4 | 申请日: | 2007-01-23 |
公开(公告)号: | CN101009208A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 岛田久美子;佐藤雅伸 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/304;H01L21/67;B08B3/02;G02F1/1333;G03F1/14;G11B5/84;G11B7/26 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种基板处理装置,包括:基板保持机构,其保持处理对象的基板;二流体喷嘴,其向被保持在上述基板保持机构上的基板表面供给液滴。二流体喷嘴具有壳体、喷出处理液的液体喷出口以及喷出气体的气体喷出口,该二流体喷嘴向上述壳体内导入处理液和气体,在上述壳体外,将从上述液体喷出口喷出的处理液和从上述气体喷出口喷出的气体进行混合来形成上述处理液的液滴,将该液滴供给到基板上。从二流体喷嘴供给的液滴在上述基板表面的密度为每分钟108个/平方毫米以上。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:基板保持机构,其保持处理对象的基板;二流体喷嘴,其具有壳体、喷出处理液的液体喷出口以及喷出气体的气体喷出口,该二流体喷嘴向上述壳体内导入处理液和气体,在上述壳体外,将从上述液体喷出口喷出的处理液和从上述气体喷出口喷出的气体混合来形成上述处理液的液滴,将该液滴供给到被保持在上述基板保持机构上的基板的表面,从上述二流体喷嘴供给的液滴在上述基板表面的密度为每分钟108个/平方毫米以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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