[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法,以及具有其的液晶显示器有效
申请号: | 200710003746.8 | 申请日: | 2007-01-24 |
公开(公告)号: | CN101009251A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 李钟赫 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;H01L29/786;G02F1/136 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管基板和通过3片掩模工艺制造薄膜晶体管基板的方法,该方法包括:在基板上形成第一导电膜;利用第一光致抗蚀剂膜图案形成包括栅极电极的栅极线;在该基板的整个表面上顺序形成栅极绝缘膜、有源层、欧姆接触层、第二导电膜和保护膜;利用在预定区域具有不同厚度的第二光致抗蚀剂膜图案形成有源区和包括源极-漏极电极的数据线;利用该第二光致抗蚀剂图案通过暴露该有源层的沟道区和部分地暴露该源极-漏极电极来形成接触孔;在该基板的整个表面上形成第三导电膜;以及利用第三光致抗蚀剂膜图案形成像素电极。本发明还包括具有该薄膜晶体管基板的液晶显示器。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 具有 液晶显示器 | ||
【主权项】:
1.一种制造薄膜晶体管基板的方法,该方法包括:在基板上形成第一导电膜;利用第一光致抗蚀剂膜图案形成包括栅极电极的栅极线,该第一光致抗蚀剂膜图案通过其上形成有所需图案的第一掩模形成在该第一导电膜上;在该基板的整个表面上顺序形成栅极绝缘膜、有源层、欧姆接触层、第二导电膜和保护膜;利用第二光致抗蚀剂膜图案形成有源区和包括源极-漏极电极的数据线,该第二光致抗蚀剂膜图案通过其上形成有所需图案的第二掩模形成在该保护膜上,该第二光致抗蚀剂图案在各预定区域具有不同厚度;利用该第二光致抗蚀剂图案通过暴露该有源层的沟道区和部分地暴露该源极-漏极电极来形成接触孔;在该基板的整个表面上形成第三导电膜;以及利用第三光致抗蚀剂膜图案形成连接到该接触孔的像素电极,该第三光致抗蚀剂膜图案通过其上形成有所需图案的第三掩模形成在该第三导电膜上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710003746.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:图像形成设备
- 下一篇:自动控制脑温的亚低温治疗脑水肿引流管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造