[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号: | 200710001742.6 | 申请日: | 2007-01-16 |
| 公开(公告)号: | CN101005079A | 公开(公告)日: | 2007-07-25 |
| 发明(设计)人: | 木藤亮隆 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L23/522 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明的一个方面,半导体存储器件包括在半导体衬底之上排列的在行方向延伸的多条字线;在半导体衬底之上排列的、在正交于行方向的列方向延伸的多条位线;平行于多条位线排列的电源线;在半导体衬底上,在多条字线和多条位线的相交处形成的多个存储单元,所述多个存储单元中的每个存储单元具有漏区和源区;和排列在电源线之下的长条形导电区。电源线与长条形导电区连接,该长条形导电区连接多个存储单元的源区。多个存储单元的每列漏区与多条位线之一连接,且多条字线用作多个存储单元的栅极。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:排列在半导体衬底之上以行方向延伸的多条字线;排列在所述半导体衬底之上以正交于所述行方向的列方向延伸的多条位线;平行于所述多条位线排列的电源线;在所述半导体衬底上,在所述多条字线和所述多条位线的相交处形成的多个存储单元,所述多个存储单元中的每个存储单元具有漏区和源区;在所述电源线之下排列的长条形导电区;其中所述电源线与所述长条形导电区连接,该长条形导电区与所述多个存储单元的所述源区连接;所述多个存储单元的每一列的所述漏区与所述多条位线之一连接;以及所述多条字线用作所述多个存储单元的栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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