[发明专利]形成金属防反射涂层的方法有效
| 申请号： | 200710001628.3 | 申请日： | 2007-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101000888A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 丘幸华;骆统;黄启东;陈光钊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在半导体器件的制造中形成防反射涂层的工艺，包括形成经改进的防反射涂层，其可以阻止形成晶冠缺陷及桥接，也可以提供防反射涂层与下层金属层间较佳的粘着性。经改进的防反射涂层可以包括两层氮化钛防反射涂层、氮化钛/钛/氮化钛夹层结构、经改进的氮化钛层、或具有延长厚度的氮化钛层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 金属 反射 涂层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造防反射涂层于金属层上的方法，包括：形成第一防反射氮化钛层于该金属层之上；以及形成第二防反射氮化钛层于该金属层之上，该第一及第二防反射氮化钛层的总厚度小于约600埃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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