[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710001484.1 | 申请日： | 2007-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN101000947A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 野元章裕 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/00;B41M3/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法。该方法包括以下步骤：(1)在抗水压印基板的抗水表面上涂敷含有有机半导体材料的溶液；(2)干燥如此涂敷的抗水表面上的含有有机半导体材料的溶液，以使与抗水表面接触的有机半导体材料结晶，由此形成半导体层；(3)热处理形成在压印基板上的半导体层；(4)在其中形成有经热处理的有机半导体层的一侧将压印基板压在要被转印的基板的表面上，使得有机半导体层被转印到要被转印的基板的表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：(1)在抗水压印基板的抗水表面上涂敷含有有机半导体材料的溶液；(2)干燥如此涂敷的所述抗水表面上的含有有机半导体材料的溶液，以使与所述抗水表面接触的有机半导体材料结晶，由此形成半导体层；(3)热处理形成在所述压印基板上的所述半导体层；(4)在其中形成有经热处理的有机半导体层的一侧将所述压印基板压在要被转印的基板的表面上，使得所述有机半导体层被转印到所述要被转印的基板的表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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